일반기술

실리콘 기반 나노구조물 내에 실리콘 나노결정립 형성방법

본 발명은 진공 상태의 챔버 안에 질소 가스를 투입하고 이온화 시키는 단계; 상기에서 이온화된 질소 이온 가스에 의해 발생하는 시료 전류를 이용하여 실리콘 기판 표면 위에 나노 단위의 실리콘 질화물을 형성하는 단계; 및 질소 가스 분위기 하에서 후열처리를 통해 상기 나노 단위의 실리콘 질화물 내부에 실리콘 나노결정립을 형성하는 단계;를 포함하는 실리콘 나노결정립 제조 방법 및 상기 방법에 의해 제조되는 실리콘 나노결정립에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 시료에 노출된 이온화된 질소 가스에 따른 시료 전류와 후열처리 온도에 따라 나노 단위의 실리콘 질화물의 크기 및 밀도를 조절할 수 있고, 그에 의해 상기 조절된 나노 단위의 실리콘 질화물 내에 실리콘 나노결정립의 크기 및 밀도 또한 조절할 수 있다. 또한, 상온에서 초고진공상의 공정을 통해 불순물의 오염 없이 고순도의 실리콘 기반 나노 물질을 형성할 수 있다. 진공 상태의 챔버 안에 질소 가스를 투입하고 이온화 시키는 단계; 상기에서 이온화된 질소 이온 가스에 의해 발생하는 시료 전류를 이용하여 실리콘 기판 표면 위에 나노 단위의 실리콘 질화물을 형성하는 단계; 및 질소 가스 분위기 하에서 후열처리를 통해 상기 나노 단위의 실리콘 질화물 내부에 실리콘 나노결정립을 형성하는 단계; 를 포함하는 실리콘 나노결정립 제조 방법.