일반기술

이종접합 소자 제작을 위한 게이트 층의 선택 에칭 방법

본 발명은 이종접합 소자 제작을 위한 게이트층의 선택 에칭 방법에 관한 것으로서, GaAs/Al x Ga 1-x As (x 는 0.1 내지 1.0의 수이다)로 구성된 이종접합 반도체 기판위에 반도체 소자를 제작할 때, 50% 구연산 수용액과 과산화수소를 1:1 내지 3:1 범위의 중량비로 혼합한 용액을 사용하여 GaAs 층만을 선택적으로 에칭하는 본 발명에 따르면, 종래의 건식에칭에 의한 격자결함 형성 등의 단점 및 종래의 습식에칭에 의해 발생되는 에칭의 불균일도 등의 단점을 해결할 수 있으며, 동시에 소자특성의 균일도가 우수한 GaAs HEMT 소자를 제작할 수 있다. GaAs/Al x Ga 1-x As (x 는 0.1 내지 1.0의 수이다)로 구성된 이종접합 반도체 기판의 GaAs층의 에칭 방법에 있어서, 50% 구연산 수용액과 과산화수소를 1:1 내지 3:1 범위의 중량비로 혼합한 용액을 사용하여 GaAs 층만을 선택적으로 에칭하는 방법.