일반기술
구리박막의 식각 방법
본 발명은 반도체 소자 등의 금속배선시에 사용되는 구리 박막의 식각 방법에 관한 것으로, 구리 박막을 오존, 또는 산소 또는 오존 플라즈마를 이용하여 산화시킨 다음, 산화된 구리에 β-디케톤(diketone) 계열의 식각 반응 기체를 도입하여 반응시키거나, 구리 박막을 산화시킴과 동시에 식각 반응 기체와 반응시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 구리 박막의 식각 방법은 소량의 산화제 및 식각 반응 기체를 사용하면서 종래기술보다 낮은 온도에서도 식각이 가능한 방법으로서 반응 조건에 따라 식각 속도를 효율적으로 조절할 수 있다. 구리 박막을 산화시키고 β-디케톤(diketone) 계열의 식각 반응 기체를 사용하여 식각시키는 방법에 있어서, 구리박막을 산소 플라즈마 또는 오존 플라즈마를 이용하여 산화시키는 것을 특징으로 하는 방법.
기술정보
- 기술분류
- 화학공정 > 무기합성 공정 기술
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-08-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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