일반기술

고온 초전도체 소자의 제조방법

본 발명은 고온 초전도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 고온 초전도체 단결정을 고온 초전도체 소자에 응용하기 위해서, 조셉슨 접합을 미세 돌기 구조로 형성하여 임계 전류를 감소시킴과 동시에 그에 적합한 전극 접합 방법을 제공함으로써, 고온 초전도체 소자의 조셉슨 접합의 특성의 파악이 용이하고, 전극 형성이 용이하여 제품 생산에 적합하다. 고온 초전도체 단결정을 고온 초전도체 소자로 제조하는 방법에 있어서, 부도체 기판의 상부에 접착층을 이용해서 상기 고온 초전도체 단결정을 부착하는 단계; 상기 고온 초전도체 단결정의 상부에 금속을 적층하여 표면 보호막을 형성하는 단계; 상기 표면 보호막의 전체 두께 및 상기 고온 초전도체 단결정의 일부 두께를 패터닝하여 미세 돌기 구조로 형성하는 단계; 상기 미세 돌기 구조의 측면 및 상기 미세 돌기 구조의 형성으로 노출된 고온 초전도체 단결정의 상부에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 및 미세 돌기 구조의 상부에 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층을 패터닝해서 상기 미세 돌기 구조 각각에 대응되게 분리되는 전극을 형성하는 단계를 포함해서 이루어지는 고온 초전도체 소자의 제조 방법.