일반기술
루테늄/루테늄 산화물 박막 형성 방법
본 발명은 Ru/RuO 2 박막의 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 Ru(OD) 3 (OD: 옥탄디오네이트)를 전구체로 사용함으로써 유기금속화학증착법에 의해 기판 상에 우수한 특성을 가진 고순도의 Ru/RuO 2 박막을 높은 증착속도로 형성시킬 수 있다. Ru(OD) 3 (OD: 옥탄디오네이트)를 알콜성 용매에 용해시킨 용액을 순간기화기에서 기화시키고, 생성된 증기를 아르곤 또는 아르곤과 산소의 혼합 가스에 의해 증착 반응기로 이송하여 기판과 접촉시킴을 포함하는, 기판 상에 Ru 또는 RuO 2 박막 또는 이들의 혼합박막을 형성시키는 방법.
기술정보
- 기술분류
- 화학공정 > 분자자기조립 공정 기술
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-08-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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