일반기술
유기금속착물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기금속화학증착법
본 발명은 하기 화학식 1의 유기금속 착물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기금속화학증착법에 관한 것으로, 본 발명의 유기금속 착물은 열안정성이 높고, 낮은 온도에서도 기화 특성이 우수하기 때문에 유기금속화학증착법 (MOCVD, metal organic chemical vapor deposition)을 이용하여 효율적으로 박막을 제조할 수 있다.; [화학식 1] [IMAGE 1] ; (상기식에서, M, m, R 1 , R 2 , R 3 , 및 R 4 는 명세서 중에서 정의한 바와 같다.) 하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 착물: 화학식 1 [IMAGE 9] 상기식에서, M은 Ti 또는 Zr이고; R 1 , R 2 , R 3 및 R 4 는 각각 독립적으로 H 또는 C 1-4 알킬이며; m은 2 내지 5의 정수이다.
기술정보
- 기술분류
- 화학공정 > 분자자기조립 공정 기술
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-08-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.