일반기술

유기금속 화학증착법에 의해 형성된 산화아연마그네슘 박막 및 이의 제조방법

본 발명은 유기금속 화학증착법에 의한 산화아연-마그네슘 박막의 제조방법에 관한 것으로서, 아연-함유 유기금속 및 마그네슘-함유 유기금속, 및 산소-함유 기체 또는 유기물을 별개의 라인을 통해 반응기에 주입시키고, 10 -3 내지 760 mmHg의 압력, 200 내지 800℃의 내부온도를 갖는 반응기 조건하에서, 상기 반응물질들의 유량을 각각 0.1 내지 10 sccm, 5 내지 50 sccm 및 20 내지 100 sccm의 범위로 조절함으로써 마그네슘의 몰분율을 제어함을 통해 기재 위에 상기 박막을 성장시키는 것을 포함하며, 본 발명에 따른 유기금속 화학증착법에 의하면, 대량생산이 가능하고 결정성이 우수한 산화아연-마그네슘 박막을 제조할 수 있다. 아연-함유 유기금속, 마그네슘-함유 유기금속, 및 산소-함유 기체 또는 유기물을 별개의 라인을 통해 반응기에 주입시키면서 기재 위에 막을 성장시키는 것을 특징으로 하는, 유기금속 화학증착법에 의한 Zn 1-x Mg x O (0<x<1) 박막의 제조방법.