일반기술
질화 규소질 소결체(燒結 )의 제조방법
Si 30∼75중량%, 점토10∼50%, 잔부가 Si3N4로 이루어진 혼합분말을 형성하고, 형성체를 비산화성 함질소분위기에서 온도 1,400∼1,600℃로 소성하여 질화규소질 소결체를 제조한다. Si3N4원료는 고가로, 고온에서 소결해야만 한다. 본 방법에서는 소결체의 성질을 해치지 않고 단시간에 소결이 가능하여 원료비용의 저하를 꾀할 수 있다. Si 점토를 이용함으로써 점토에 Si의 질화시 발생을 흡수하고, 또 Si용융에 의한 소성체조직의 불균일화를 제어하는 작용이 있고, Si의 발영반응으로 발생하는 미반응 Si용융에 의한 기공의 발생이나 조직을 분균일하게 하는 큰 기공의 발생을 저지하여 질화소결을 단시간에 가능케 할 수 있다.Si, 점토를 소정의 주양% 함유, 잔부 Si3N4로 이루어진 질화 규소질 소결체의 성질을 해치지 않고 단시간에 소결이 가능하기 때문에 원료비용의 저하를 꾀할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 세라믹재료
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-29
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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