일반기술
초전도 마그네슘 보라이드 (MgB2) 박막의 제조방법 및 제조장치
본 발명은 초전도 마그네슘 보라이드(Magnesium Boride: MgB 2 ) 박막, 그 제조방법 및 이의 제조장치를 제공한다. 상기 제조방법은 기판상에 보론 박막을 형성하는 단계; 및 보론 박막이 형성된 기판과 마그네슘을 열처리한 다음, 이를 냉각시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 명시된 방법으로 박막을 제조하면, 기판에 수직하게 c축 배향성을 갖는 초전도 마그네슘보라이드 박막을 얻을 수 있다. 본 발명에 의해 제조된 마그네슘보라이드 박막은 초전도체 박막을 이용하는 전자장비 예를 들어, 미세자기장을 탐지하는 초전도양자간섭소자(SQUIDs)를 이용하는 의료용 정밀진단 장비와 위성통신에서 사용되는 마이크로파 통신장비, 조셉슨 소자 등에 이용이 가능하며, 이를 이용하며 컴퓨터를 제작하면 현재의 경우보다 연산속도가 100배 이상 향상되는 컴퓨터를 제조하는 것이 가능해진다. (a) 기판상에 보론 박막을 형성하는 단계; 및 (b) 보론 박막이 형성된 기판과 마그네슘을 열처리한 다음, 이를 냉각시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 초전도 마그네슘보라이드(MgB 2 ) 박막의 제조방법.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-08-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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