일반기술
아연이 첨가된 산화마그네슘 박막 및 이의 제조방법
본 발명은 산화마그네슘(MgO) 박막 성장시 아연을 첨가함으로써 제조된 박막에 관한 것으로, 상기 박막의 제조시 산화아연 상이 분리되지 않는 범위내로 아연을 첨가함으로써 산화마그네슘의 결정을 그대로 유지하면서, 결정성 및 표면 미세구조가 향상되고, 표면 거칠기가 매우 적은 본 발명의 산화마그네슘 박막은 다양한 광 소자 및 전자 소자에 사용될 수 있다. 산화마그네슘 박막을 성장시키는 공정에서, 상분리가 일어나지 않는 범위내에서 아연을 20 몰％ 미만의 양으로 첨가하는 것을 특징으로 하는, 아연-첨가된 산화마그네슘 박막의 제조방법.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-08-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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