일반기술

친핵성 그룹표면을 갖는 기질상에 직접 고밀도의 아민기를 함유하는 분자층의 형성방법

본 발명은 단일공정을 통해 기질 상에 고밀도의 아민기 함유 분자층을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기질 표면의 친핵성 작용기인 히드록시기와 아지리딘 동등체(equivalent)를 직접 반응시켜 기질 상에 고밀도의 아민기 함유 분자층을 형성하는 방법에 관한 것이다.; 상기와 같은 방법에 의하면, 기질 상에 고밀도의 아민기 함유 분자층이 도입되어 바이오칩을 개발하는데 매우 중요한 기능을 수행할 수 있으며, 이밖에도 기질 표면에 원하는 분자들을 고정하고, 이들의 성질을 밝히는 표면 연구에도 중요한 표면 기질로 사용이 가능하다.; 또한, 본 발명은 기질의 친핵성 작용기 표면에 아지리딘 동등체를 직접 반응시키는 단일공정을 통해 기질 표면에 높은 밀도의 아민기를 가지는 표면을 간단히 제조할 수 있고, 기존의 두 단계 또는 그 이상을 거치는 공정을 보다 단순화시킨 방법으로서, 바이오칩의 개발 및 표면연구에 소요되는 시간 및 비용을 절감시키는 효과를 가져올 수 있다. 히드록시기, 티올기, 및 아민기로 구성된 그룹에서 선택된 기질 표면의 친핵성(nucleophilic) 작용기를 아지리딘 또는 할로에틸아민과 연쇄중합반응 시킴으로써 기질 상에 고밀도의 아민기 함유 분자층을 형성하는 방법.