일반기술

사이아론 소결체의 제조방법

사이아론 소결체를 제조할 때는 값싸게 양산할 수 있어야 한다. 종래 Si-Si3N4-Ai2O3-ZrO2계 사이아론 소결체에서는 치밀질 소결체를 얻는데 1700℃의 온도가 필요하고, 그를 위한 로재의 소모가 현저해져 소성로가 고가가 된다. Si-Si3N4-Ai2O3-MgO계 사이아론 소결체에서는 MgO의 작용으로 치밀화 온도를 1650℃이하로 할 수 있는데 일반적으로 Mg(OH)2를 이용하지만 Mg(OH)2는 공기중의 CO2가스를 흡수하여 탄산염을 생성하기 쉽고, 탄산염은 물에 용해하기 때문에 Slip성질이 불안정하다. 본 방법에서는 규소, 질화규소, 알루미늄, 지르코니아의 분말혼합을 성형하고, Si-Si3N4-Ai2O3-ZrO2계 사이아론 소결체로 함으로써 치밀화 온도를 1650℃ 이하로 할 수 있고, 물에 녹지 않기 때문에 slip성질을 안정화할 수 있다.규소, 질화규소, 알루미늄, 지르코니아의 분말혼합을 하고, Si-Si3N4-Ai2O3-ZrO2계 사이아론 소결체로 함으로써 치밀화 온도를 1650℃ 이하로 할 수 있어 소성비의 저감이 가능하다. ZrO2는 물에 녹지 않기 때문에 성형할 경우 Slip성질을 안정화할 수 있어 보다 안정되게 양산할 수 있다.