일반기술
망간이 도핑된 산화아연계 강자성 물질 및 그 제조방법
본 발명은 결과물중 금속의 총몰수를 기준으로 망간(Mn)이 0.01∼50 몰%가 되도록 산화아연에 망간이 고용된 것을 특징으로 하는 산화아연계 강자성 물질을 제공한다.; 본 발명에 따른, 망간(Mn)이 도핑된 산화아연은 성장시 적정량의, 즉 산화망간 상이 분리되지 않을 정도의 망간(Mn)을 첨가함으로써, 강자성을 띄는 반도체 물질을 합성하여 다양한 광소자 및 전자 소자에 효율적으로 사용될 수 있다. 결과물중 금속의 총몰수를 기준으로 망간(Mn)이 0.01∼50 몰%가 되도록 산화아연에 망간이 고용된 것을 특징으로 하는 산화아연계 강자성 물질.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-08-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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