일반기술
계면특성이 우수한 박막 트랜지스터의 제조방법
본 발명은 계면특성이 우수한 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 폴리실리콘 반도체막 위에 이산화규소 절연막을 1차 증착시킨 다음, 증착된 절연막을 산소, 질소 또는 산화질소로 플라즈마 처리하고, 이어서 절연막을 추가로 증착시키는 본 발명의 방법에 따르면, 반도체막과 절연막 간의 계면부 및 전이영역의 결함을 감소시키고 전기적 화학적 특성을 개선시켜 우수한 전기적 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다. 폴리실리콘 반도체막 및 이산화규소 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터를 제조함에 있어서, 반도체막 위에 절연막을 3 내지 9 nm의 두께로 1차 증착시킨 다음, 증착된 절연막을 산소, 질소 또는 산화질소 플라즈마로 처리하고, 이어서 나머지 두께의 절연막을 추가로 증착시키는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터의 제조방법.
기술정보
- 기술분류
- 화학공정 > 분자자기조립 공정 기술
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-08-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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