일반기술
반도체 소자용 금속 실리케이트 게이트 절연막의 제조방법
본 발명은 반도체 소자용 금속 실리케이트 게이트 절연막의 제조방법에 관한 것으로서, 금속 알콕시드 및 실리콘 할라이드 원료기체를 기판에 접촉시켜 원자층 화학증착시키는 본 발명의 방법에 의하면, 기존의 방법보다 획기적으로 낮은 온도에서 목적하는 조성의 금속 실리케이트 박막을 제조할 수 있으며, 이와 같이 제조된 실리케이트 박막은 게이트 절연막으로서 다양한 반도체 소자에 유용하게 적용될 수 있다. 원자층 화학증착법에 의한 금속 실리케이트 박막의 제조에 있어서, 원료기체로서 금속 알콕시드 및 실리콘 할라이드를 사용하는 것을 특징으로 하는, 금속 실리케이트 박막의 제조방법.
기술정보
- 기술분류
- 화학공정 > 분자자기조립 공정 기술
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-08-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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