일반기술
유기 금속착물 및 이의 제조방법
본 발명은 하기 화학식 1의 유기금속 착물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기금속화학증착법에 관한 것으로, 본 발명의 유기금속 착물은 상온에서 액상으로 존재하며 기화온도가 낮으므로 화학증착법에 의해 실리콘 또는 하프늄을 포함하는 산화물 박막을 효율적으로 제조할 수 있다.; ; [화학식 1] [IMAGE 1] ; (상기 식에서, M은 Hf 또는 Si이고, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬이고, m은 2 내지 5이다) 하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 착물: 화학식 1 [IMAGE 3] 상기 식에서, M은 하프늄(Hf) 또는 실리콘(Si)이고, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬이고, m은 2 내지 5이다.
기술정보
- 기술분류
- 화학공정 > 분자자기조립 공정 기술
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-08-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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