일반기술

갈륨나이트라이드계 광소자의 P형 오믹전극 및 그 제조방법

본 기술은 갈륨나이트라이드계 광소자의 P형 오믹전극 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 기술은 낮은 접촉저항을 가지면서 빛의 투과도가 뛰어나며 열적으로 안정한 갈륨나이트라이드계 (GaN based) 광소자의 P형 오믹전극에 관한 발명으로, 오믹 전극은 낮은 접촉 저항을 가지면서도 빛의 투과도가 뛰어나며 열적으로도 안정한 특징을 가진다. 이를 위해 본 기술에 의한 전극은 기판, 상기 기판상에 형성된 P형 갈륨나이트라이드층 및 상기 P형 갈륨나이트라이드층 상에 형성된 P형 오믹 전극으로 이루어지되, 상기 P형 오믹 전극은 루테늄 산화막, 이리듐 산화막 또는 오스미움 산화막으로 구성하는 것을 특징으로 한다.질화물 반도체 소재 기술은 정보전자 기능소재 전 분야에 적용되는 기술로서 탁월한 광전(발광/수광) 기능과 초고주파-고출력 특성을 이용하는 표시소자, 센서/검출기, 정보통신소자, 이동/위성통신소자 등의 핵심소자로서 광범위하게 활용될 수 있는 기반기술이다. 질화물 반도체 소재는 청색/녹색LED, 단파장 LD 등 기존의 반도체 소재로 해결하지 못하였던 단파장발광 소자에 채용됨으로써 표시소자 분야에 총천연색화와 단파장 반도체 레이저 광원구현에 결정적인 공헌을 하였다. 또한 200~400nm 영역에서 Si을 능가하는 탁월한 수광 기능이 입증되어 자외선(UV) 광 검출기에 활용되고 있고 Si이 접근할 수 없는 수십~수백GHz 영역의 초고주파 특성과 특유의 결정성 때문에 차세대 통신용 소자 및 FED(Field Emission Display)의 에미터팁(Emitter Tip)으로 활용될 전망이다.