일반기술

탄탈을 포함하는 오믹 전극 및 이를 형성하기 위한 적층 구조와 반도체 소자 및 이들의 제조방법

Ta막을 포함하는 적층 구조의 금속막을 열처리함으로써 얻어지는 오믹 전극 및 이를 포함하는 반도체 소자와, 이들의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 오믹 전극은 AlGaN 화합물 반도체층 위에 Ta막을 형성하고, 상기 Ta막 위에 Al막을 포함하는 적층 구조의 금속층(multi-layered metal layer)을 형성하고, 상기 Ta막 및 적층 구조의 금속층이 형성된 결과물을 열처리하는 방법에 의하여 형성된다. 본 발명에 따른 오믹 전극에서는 열처리시 생성된 TaN상에 의하여 향상된 오믹 저항치가 얻어진다. 화합물 반도체층 위에 오믹 전극을 형성하기 위한 적층 구조에 있어서, 상기 화합물 반도체층 위에 상기 화합물 반도체층과 접하도록 형성된 Ta막과, 상기 Ta막 위에 형성되고, Ti막 및 Al막이 순차 적층된 이중충으로 이루어지는 Al 함유 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 구조.