일반기술
이트륨이 도핑된 비스무스 티타네이트 박막 및 이의 제조방법
본 발명은 BTO에 이트륨(yttrium)이 도핑(dopping)된 BYT 박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 BYT 박막은 분극 수치 및 전기적 피로 수준이 향상되어 우수한 강유전 특성을 가지며, 따라서 고속, 대용량, 저전력 및 비휘발성 특성을 갖는 FRAM(ferroelectric random access memory) 소자 등에 유용하게 사용될 수 있다. 하기 화학식 1의 조성을 가진 비스무스 이트륨 티타네이트(BYT) 박막: 화학식 1 Bi 4-x Y x Ti 3 O 12 상기 식에서, x는 0.1 내지 2이다.
기술정보
- 기술분류
- 화학공정 > 분자자기조립 공정 기술
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-08-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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