일반기술

반도체 소자용 하프륨 실리케이트 게이트 절연막의 제조방법

본 발명은 반도체 소자용 하프늄 실리케이트(HfSi x O y , 이때 0.1<x<9이고, 2<y<40이다) 게이트 절연막의 제조방법에 관한 것으로서, 0.1 내지 2 torr의 반응기 압력 하에서 실리콘 알콕시드, 및 하프늄 할라이드 또는 하프늄 아미도 화합물 원료기체의 증기압을 0.1 내지 2 torr로 조절하여 상기 원료기체를 250 내지 500℃로 가열된 기판에 접촉시켜 원자층 화학증착시키는 본 발명의 방법에 의하면, 불순물의 혼입이 적은, 목적하는 조성의 하프늄 실리케이트 박막을 빠르고 재현성 있게 제조할 수 있으며, 이와 같이 제조된 하프늄 실리케이트 박막은 게이트 절연막으로서 다양한 반도체 소자에 유용하게 적용될 수 있다. 0.1 내지 2 torr의 반응기 압력 하에서 실리콘 알콕시드, 및 하프늄 할라이드 또는 하프늄 아미도 화합물 원료기체의 증기압을 0.1 내지 2 torr로 조절하여 상기 원료기체를 250 내지 500℃로 가열된 기판에 접촉시켜 원자층 화학증착시키는 것을 포함하는, 하프늄 실리케이트 박막의 제조방법.