일반기술

p-타입 반도체 박막과 n-타입 산화아연계 나노막대의 이종접합 구조체,이의 제법 및 이를 이용한 소자

본 발명은 산화아연(ZnO)계 p-n 이종접합(heterojunction) 구조체, 이의 제법 및 이를 이용한 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 p-타입 반도체 박막 위에 n-타입 산화아연계 나노막대를 유기금속 화학증착법(Metal Organic Chemical Deposition, MOCVD)에 의해 수직 방향으로 성장시켜 제조된 p-n 이종접합 구조체는, 발광 다이오드와 같은 반도체 발광소자, 트랜지스터, 광검출 소자, 감지소자 등과 같은 나노 소자 및 이들의 어레이(array)를 구현하는데 유리하게 이용될 수 있다. p-타입 반도체 박막 위에 n-타입 산화아연(ZnO)계 나노막대가 수직방향으로 성장되고 상기 박막상에 성장된 ZnO계 나노막대들 사이의 팁 부분을 제외한 빈 공간이 절연물질로 채워져 있는 p-타입 반도체와 n-타입 산화아연계 나노막대의 p-n 이종접합 구조체를 포함하는 나노소자.