일반기술

질화갈륨계 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법

본 발명은 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다. ; 상기 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자는 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 및 p형의 GaN계 III-V족 화합물 반도체층 및 활성층으로 이루어진 반도체 소자에있어서, 상기 p형 GaN계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성되며, Ir(또는 Ni,Pt), Ag, Ru, Ni, Au 금속층이 순차적으로 적층되어 이루어진 고반사율 오믹 전극을 포함한 것을 특징으로 한다. 본 발명의 Me(=Ir, Ni, Pt)/Ag/Ru/Ni/Au 오믹 전극은 산소 분위기 열처리를 통해 반사막 특성과 낮은 접촉저항 특성을 동시에 얻을 수 있는 전극형성공정을 포함한다. 상기에서 Ru/Ni/Au 중첩층은 산소 분위기 열처리시 Ag 반사층의 외부 확산과 산화를 방지하여 상기 오믹 전극의 반사율과 열적 안정을 증대시키는 역할을 한다. ; 이러한 Me(=Ir, Ni, Pt)/Ag/Ru/Ni/Au 오믹 전극을 채용하면, 소자 특성과 신뢰성이 동시에 개선된 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자를 얻을 수 있게 된다. 질화갈륨계 Ⅲ­Ⅴ족 화합물 반도체층을 이용하는 소자에 있어서, p형 오믹 전극 금속으로 Me(Ni, Ir, Pt), Ag, Ru, Ni, Au 금속 박막 다층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 Ⅲ­Ⅴ족 화합물 반도체 소자.