일반기술
AlGaAs 에피층 식각액 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
Al x Ga 1-x As 에피층 식각액 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 식각액은 H 3 PO 4 , H 2 O 2 및 CH 3 OH의 혼합액으로 이루어진다. 본 발명에 따른 식각액을 사용하여 Al x Ga 1-x As (0≤x≤1) 에피층을 식각하면 등방성 식각 특성이 얻어져 수직 프로파일을 가지는 측면을 가지는 메사를 형성할 수 있으며, GaAs층과 AlGaAs층과의 식각 선택비가 1에 가까워 메사의 측면에서 매끄러운 표면 형상이 얻어진다.H3PO4, H2O2 및 CH3OH의 혼합액으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 AlxGa1-xAs (0≤x≤1) 에피층 식각액.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 광전자
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-08-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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