일반기술
질화물 반도체 소자 및 그 제조방법
본 발명은 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 기판 위에 반도체 나노막대를 수직 방향으로 성장시킨 후 그 위에 질화물 반도체 박막을 증착시키면 저가의 다양한 대면적 기판 위에 품질이 우수한 질화물 반도체 박막을 증착, 성장시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따라 제조된, 반도체 나노막대가 함입된 형태의 질화물 반도체 박막은, 박막 내에 포함된 나노막대 틈새로 빛을 용이하게 방출해 낼 수 있어 내부산란을 획기적으로 감소시킬 수 있으므로 발광 다이오드 등과 같은 광소자 및 전자소자 등에 유리하게 이용될 수 있다. 기판; 상기 기판 상에 성장된 막대 모양을 갖는 다수의 반도체 나노 막대; 및 상기 반도체 나노 막대 사이와 상기 반도체 나노 막대 상부에 증착되어 분포되고 자외선, 가시광선 또는 적외선 영역의 빛을 방출하는 질화물 반도체 박막을 포함하는 질화물 반도체 소자.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-08-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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