일반기술
산화아연 나노구조체 제조방법 및 이를 이용한 소자
본 발명은 1차원적인 형태인 산화아연 나노막대 상부에 2차원적인 산화아연층을 성장시키는 방법 등에 관한 것으로서, 구체적으로는 기판을 챔버내에 장입하는 단계; 상기 기판상에 산화아연 나노막대들을 성장시키는 단계; 상기 산화아연 나노막대에 산소를 공급하는 단계; 상기 산화아연 나노막대상에 산화아연층을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. (a) 기판을 챔버내에 장입하는 단계; (b) 상기 기판상에 산화아연 나노막대들을 성장시키는 단계; (c) 상기 산화아연 나노막대에 산소를 공급하는 단계; (d) 상기 산화아연 나노막대상에 산화아연층을 성장시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연체 제조방법.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 고분자 복합재료
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-08-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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