일반기술
적외선 광 검출기를 위한 CdHgTe 헤테로에피탁시 구조
CdxHg1-xTe (MCT HES)에 기반을 두고 있는 헤테로에피탁스 구조는 직경이 50.8 mm인 GaAs 기판의 분자 빔 에피탁스(MBE) 방법을 통해 고유한 장비 내에서 발생합니다.MBE MCT HES는 3-5 μm 및 8-14 μm 배경광에 의해 제한된 파라미터를 갖는 저항 및 광기전(光起電) 적외선(IR) 광 검출기 제조를 위해 설계되었습니다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 중소기업진흥공단
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-09-19
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.