일반기술

탄소 나노튜브를 이용한 전계방출 소자의 제조방법

○ 기술발명의 목적 :개발 기술은 화학기상증착법을 이용하여 기판위에서 탄소나노튜브를 성장한 뒤에 반도체 공정을 이용하여 절연물질인 SOG(Spin on glass)를 코팅한 후 균일한 높이로 절단 공정 처리를 수행하여, 탄소나노튜브의 높이를 균일하게 제어하였다. 이러한 높이의 균일한 제어공정과 아울러 코팅된 SOG(Spin on glass)는 절연물질로 탄소나노튜브와 트랜치구조(Trench structure)에서의 기판과의 절연이 가능하도록 하는 장점이 있다. 또한 기판과 탄소나노튜브와의 밀착성을 향상시키는 장점이 있다. 절단된 탄소나노튜브는 open tip 구조를 갖기 때문에 전계 방출 효율이 크게 증가한다. ○ 기술 요약 및 특징 :본 기술을 이용하여, 탄소나노튜브의 길이 및 구조 제어를 통해, 높은 전계방출 전류 밀도를 갖는 탄소나노튜브 전계방출 소자 제작 이 가능하며, 길이 조절을 통한 전계방출 소자의 동작 특성의 균일화를 가져올 수 있는 원 기술이므로, 열화학 기상합성 방법을 이용하여 성장한 탄소나노튜브를 이용한 삼극관 구조의 전계방출 소자 제작을 위해서는 본 공정이 반드시 필요함.○ 색인어 : 탄소나노튜브, 열화학 기상 합성법, 삼극관 구조의 전계방출 소자 제작