일반기술

실리콘 기반 3족 질화물계 발광소자 및 이의 제조방법

실리콘 온 인슐레이터(Silion on Insulator, ’SOI’) 기판에 SOI 기판위에 패터닝된 실리콘 박막 및 상기 패터닝한 실리콘 박막상에 적어도 1이상의 질화물 박막층이 순차 적층된 구조체를 포함하는 질화물계 발광소자를 제공 한다. 본 기술에 따른 질화물계 발광소자는 갈륨 질화물의 성장과정에서 박막내의 결정결함과 응력을 동시에 줄여 에너지의 손실을 감소시켜 고효율의 광소자 및 전기소자를 구현하는 것이 가능하고, 결정성을 향상시켜 갈륨 질화물 소자의 신뢰성을 향상시키는 것이 가능하다. 실리콘 기판 표면을 패터닝하여 갈륨 질화물 박막을 성장시키는 것에 의해, 표면 패터닝된 실리콘 기판의 결정결함 및 응력 등이 갈륨 질화물의 결정으로 진행되는 것을 막아 고품질의 갈륨 질화물 결정을 성장시킬 수 있다. 이에 따라 에너지의 손실을 감소시켜 고효율의 광소자 및 전기소자를 구현하는 것이 가능하고, 결정성을 향상시켜 갈륨 질화물 소자의 신뢰성을 향상시키는 것이 가능하다. 또한, 실리콘 기판 표면을 패터닝하여 갈륨 질화물 박막을 성장시키는 것에 의해, 표면 패터닝된 실리콘 기판의 결정결함 및 응력 등이 갈륨 질화물의 결정으로 진행되는 것을 막아 고품질의 갈륨 질화물 결정을 성장시킬 수 있다. 따라서, 에너지의 손실을 감소시켜 고효율의 광소자 및 전기소자를 구현하는 것이 가능하고, 결정성을 향상시켜 갈륨 질화물 소자의 신뢰성을 향상시키는 것이 가능하다.