일반기술

반도체 발광소자

- 반도체 발광 소자는 전자와 홀의 재결합에 기초하여 발광하는 반도체소자로서, 반응속도, 전력소모, 발열 등의 제반특성이 종래의 광원에 비해 매우 우수하여 광통신, 전자기기에서 여러 형태의 광원으로 널리 사용되고 있다. - 종래의 반도체 발광소자는 기판에 n형 클래드층(n형층), 활성층(발광층), p형 클래드층(p형층)이 순차적으로 적층되는 다층구조로 형성되며, 상기 n형층과 p형층에는 각각 전극이 부착된다. - 본 기술은 반도체 발광소자에 관한 것으로 보다 상세하게는 반도체 성장기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층의 적층으로 이루어지고 플립칩 방식으로 외부지지기판에 접착되는 반도체 발광소자에서, 활성층 및 클래드층을 적어도 하나 이상의 마이크로디스크 내지는 기둥의 형태로 형성하고 상기 발광층 및 클래드층으로 이루어진 기둥의 둘레를 유전체로 코팅하여 활성층에서 발생한 광자가 특정 방향으로 전반사되도록 하여 발광효율이 향상된 반도체 발광소자에 관한 것이다.- 기술은 반도체 발광소자의 활성층의 절연성 유전체로 둘러싸인 하나 이상의 작은 크기의 디스크 또는 기둥 내에 각각 형성됨으로서, 활성층에서 발생한 광자가 n형층으로 방출되도록 반사, 전반사되어 반도체 발광 소자의 발광 효율이 향상된다.