일반기술
장파장 광원을 이용한 반도체 패키지 적층 구조
본 기술은 장파장 출광 광원 소자와 수광 소자를 실리콘 칩 표면에 실장하여 출광된 빛이 실리콘 칩을 통과하여 고속으로 칩 간의 광연결을 가능케 하는 구조에 관한 것으로 실리콘 칩 상에 장파장 출광 광원 소자를 실장하여 실리콘 칩의 광 통과로 고속 칩 간 광연결의 가능한 구조와 이러한 구조를 포함하는 칩이 적층된 패키지 구조 간의 자유 공간을 이용한 고속 칩 및 패키지 간 광연결이 가능한 구조이다.실리콘 재질의 실리콘 칩들을 적층하는 구조에서 기존의 고드 와이어를 이용한 고속 신호의 전달 구조의 한계를 극복하기 위해 전기적 배선 및 무반사 코팅된 실리콘 칩 표면에 장파장의 광원 소자와 수광소자를 이용하여 적층된 실리콘 칩간의 고속 신호를 전달할 수 있는 장파장 광원을 이용한 반도체 구조와 이러한 구조를 이용한 패키지 구조간의 자유 공간을 이용한 고속 칩 및 패키지 간 광연결이 가능한 다양한 패키징 구조에 관한 것으로 기존의 방법을 이용한 적층 방법들에 비해 공정상의 용이점과 비용절감 등의 효과가 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 한국광기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-12-06
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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