일반기술

유전체 DBR을 구비한 질화물계 발광소자 및 이의 제조방법

본 기술은 실리콘 기판 상에 갈륨 질화물 박막 성장 및 갈륨 질화물 박막의 패터닝, 식각된 부분에 유전체 DBR 성장, 패턴된 갈륨 질화물 박막 상에 적어도 1이상의 질화물 박막층이 순차 재 적층된 구조체를 포함하는 질화물계 발광소자를 제공한다. 질화물계 발광소자는 갈륨 질화물의 성장과정에서 박막내의 결정결함과 응력을 동시에 줄여 결정성을 향상시켜 갈륨 질화물 소자의 신뢰성을 향상시키는 것이 가능하고, 고반사율의 DBR에 의한 발광효율을 증가시켜 고효율의 광소자 및 전기소자를 구현하는 것이 가능하다.식각 부분에 유전체 DBR을 갖는 패터닝된 질화물 박막 상에 갈륨 질화물 박막을 재 성장시키는 것에 의해, 패터닝된 갈륨질화물 박막의 결정결함 및 응력 등이 갈륨 질화물의 결정으로 진행되는 것을 막아 고품질의 갈륨 질화물 결정을 성장시킬 수 있다. 또한 유전체 DBR이 고반사율을 갖기 때문에 발광효율이 증가된 발광 소자를 얻을 수 있다. 이에 따라 에너지 손실을 감소시켜 고효율의 광소자 및 전기소자를 구현하는 것이 가능하고, 결정성을 향상시켜 갈륨 질화물 소자의 신뢰성을 향상시키는 것이 가능하다.