일반기술

질화물 반도체 발광소자

원리및 구성 : 본 기술은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 관통전위를 줄이기 위해 많은 방법의 하나로 기판상에 꼭지점을 갖는 요철 구조를 형성하여 줌으로써 그 꼭지점 주위로 관통 전위를 집중시킨 후에 여러 가지 방법을 통하여 전위가 성장하는 것을 막아주어 관통전위가 적은 질화물을 이용한 발광소자에 관한 것이다. 본 발명의 질화물 반도체 발광소자는 꼭지점을 구비하도록 패터닝 된 기판을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 기판상에 요철을 가지는 결함이 적은 질화물 박막을 사용하여 발광소자를 구현함으로써 기판상의 산란 회절 효과를 증대 시켜 광 추출효율을 증대 시킬 수 있으며 결함이 적어짐으로 인해 고신뢰성, 고휘도의 질화물계 발광 소자를 제공할 수 있다중요성 및 독창성 : 본 기술은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로써, 본 발명의 목적은 기판에 꼭지점을 갖는 요철 구조를 적용하여 관통전위를 줄이기 위한 것으로 관통전위가 적은 고품위 질화물계 발광소자를 제공하는 데 있다.발명의 구성 : 본 기술의 질화물 반도체 발광소자는 꼭지점을 구비하도록 패터닝 된 기판을 포함하는 것을 특징으로 한다. 기판은 실리콘, 실리콘카바이드 및 사파이어 중 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 꼭지점을 가지는 패턴의 평면은 원형, 삼각형, 사각형 및 다각형 중 선택되는 1종의 형상을 구비한다. 기판 상부에는 제 1질화물 박막이 성장되고, 상기 제 1질화물 박막 중 하부에 기판에 형성된 꼭지점이 위치한 부분은 선택적으로 식각되거나, 상기 제 1질화물 박막 중 하부에 기판에 형성된 꼭지점이 위치한 부분은 하부에 위치한 꼭지점의 일부와 동시에 선택적으로 식각되는 것이 바람직하다. 본 기술에서 상기 기판에 형성된 꼭지점 주위에 유전체막을 패터닝 하고, 상기 유전체막은 단일층 또는 복층으로 구성되는 것이 바람직하다. 적용 제품 및 경쟁 제품 : 일본 니치아와 국내 삼성에서 패턴된 사파이어 기판을 이용한 고휘도 발광소자에 대한 기술을 갖고 있다. 이 기술은 이것들에 대응하여 광산란을 증가 시킴과 동시에 결함이 적은 에피를 성장 할 수 있는 방법을 제공한다. 따라서 이 기술을 적용하여 고휘도 발광소자를 개발 할 수 있으며, 신뢰성 향상등을 기대 할 수 있다. 주로 , 신호등이나 BLU등에 들어가는 고휘도, 고신뢰성 발광소자 제작에 사용 될 수 있을것이다.