일반기술

원자층 증착법을 이용한 비휘발성 부유 게이트 메모리소자를 위한 나노적층체의 제조방법

<기술의 개요>-본 기술은 나노적층체(nanolaminate)를 원자층 증착법으로 제조하여 차세대 비휘발성 부유 게이트 메모리 소자를 형성하는 방법에 관한 것이다.-본 기술의 방법에 따르면 기존의 물리적 증착 방법으로 제조하는 나노 결정체 부유 게이트를 이용해서 메모리 소자를 형성하는 것에 비하여 우수한 메모리 윈도우(threshold voltage)를 가지므로 이를 활용하여 비휘발성메모리 소자로 잘 응용할 수 있다.<기술의 특징 및 장점>-본 기술에 따른 원자층 증착법에 의한 제1고유전막/니켈산화막/제2고유전막 나노적층체의 제조 방법은 기존의 물리적 증착 방법에 비하여 낮은 온도에서 공정이 가능하며, 얇은 박막에서도 그 두께의 조절이 아주 용이한 장점이 있다. -조성이 정확한 대면적 박막과 고랑이나 구멍 등이 있는 삼차원 구조의 기질에서도 두께가 균일한 박막을 제조할 수 있고 우수한 메모리 윈도우 특성을 보임으로써, 본 기술의 제1고유전막/니켈산화막/제2고유전막 나노적층체는 비휘발성 부유 게이트 메모리 소자의 제조에 유용하게 적용될 수 있다.