일반기술

반도체 기억소자구조 및 그 제조방법

○ 기술 요약 및 특징 :본 기술은 반도체 기억소자구조와 그 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 계열의 기재의 상측에 트리 테트라메틸 헵타네디오나토 이트륨(Tris(2,2,6,6-tetramethyl-3, 5-heptanedionato)Yttrium(Ⅲ))과 메틸사이크로 펜타디에닐 망간 트리카보닐((CH3C5H4)Mn(CO)3)을 각각 열분해한 후 화학반응기안에서 산소와 함께 반응시켜 이트륨망간네이트(YMnO3)층을 형성한후, 이트륨망간네이트(YMnO3)층을 절연층으로 사용하여 이 상측에 스트론튬비스무스탄탈레이트(SrBi2Ta2O9)층을 물리적인 증착방법으로 형성하여 이루어지는 반도체 기억소자구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 구성에 의하면, 치밀한 미세구조를 갖는 박막을 얻을수 있으며 고온에서 안정한 계면상태를 유지하여 실리콘의 산화도 억제되고 각층의 구성 원소들의 상호확산도 거의 일어나지 않아 이러한 구조는 탁월한 신뢰성을 가진 반도체 기억소자로서 활용될 수 있는데, 특히 비휘발성 강유전체 전계효과 기억소자로서 뛰어난 기능을 가진다.