일반기술

반도체 기억소자용 전극구조 및 그 제조방법

○ 기술 요약 및 특징 :본 기술은 반도체 기억소자용 전극구조 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘 계열(폴리 실리콘, 산화 실리콘, 실리콘)의 기재의 상측에 루테늄 카보닐(Ru 3 (CO) 12 )을 열분해에 의해 증착하여 루테늄(Ru)층을 형성한 다음, 루테늄(Ru)층의 상측에 루테늄 카보닐(Ru 3 (CO) 12 )을 산소와 함께 반응시켜 증착하여 산화루테늄(RuO 2 )층을 형성한 후, 산화루테늄(RuO 2 )층의 상측에 메틸사이클로펜타디에닐 트리메틸 백금( (CH 3 ) 3 (CH 3 C 5 H 4 )Pt )을 산소와 함께 반응시켜 증착하여 백금(Pt)층을 형성하여 이루어 지는 반도체 기어소자용 전극구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 구성에 의하면, 넓은 면적의 증착과 치밀한 미세구조를 갖는 박막을 얻을 수 있으며, 고온에서 안정한 계면상태를 유지하며 폴리실리콘의 산화도 억제되고 구성 원소들의 상호확산도 거의 일어나지 않아 이 전극구조는 유전체와 폴리실리콘과의 적층을 위한 하부전극 및 장벽층으로 활용할 수 있다.