일반기술

PZT박막의 강유전 특성이 향상된 반도체 소자와 그 제조방법

○ 기술발명의 목적 본 기술은 이러한 종래의 문제점을 개선하기 위해 안출된 것으로서, 비휘발성 FRAM의 커패시터에 PZT 박막을 적용함에 있어 피로현상을 완화하고 잔류 분극 값을 증가시키며 항전계 값을 감소시킬 수 있는, PZT 박막의 강유전 특성이 향상된 반도체 소자와 그의 제조방법을 제공함에 목적이 있다.○ 기술 요약 및 특징 본 기술은 백금층이 형성된 실리콘 계열의 기재 표면에 레드루테늄옥사이드를 형성함으로써, 높은 잔류분극 값과 낮은 항전계 값을 갖는 강유전체 PZT 박막을 얻을 수 있고 백금(Pt)과 PZT의 상호반응을 억제함으로써 PZT의 화학양론을 유지할 수 있으며 온도변화에도 안정된 계면상태를 유지할 수 있는 반도체 소자와 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 의한 반도체 소자는, 표면에 백금층이 형성된 기재(substrate)와; 백금층 위에 형성된 PRO층과; PRO층 위에 형성된 PZT 박막을 포함하며, 필요에 따라, PZT 박막 위에 PRO층 및 또는 백금층이 추가로 형성될 수도 있다.