일반기술
나노 결정 실리콘의 제조 방법
Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate(TEOS)를 사용하여 형성한 실리콘 산화막을 비교적 낮은 온도에서 열처리하여 나노 결정실리콘을 형성할 수 있는 나노 실리콘의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 결정 실리콘의 제조 방법은 실리콘 기판 상에 Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate(TEOS) 가스와 산소 가스를 사용하여 실리콘 산화막을 형성하는 단계 및 실리콘 산화막을 400 ℃ ~ 900 ℃로 열처리하여 나노 결정 실리콘을 형성하는 단계를 포함한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 전기전자재료
- 보유기관
- 고려대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-12-27
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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