일반기술
반도체 소자 배선용 구리 박막의 증착속도를 높이기 위한 전처리 세정방법
본 발명은 반도체 소자 배선용 구리 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 기판 (1); 기판 (1) 위의 하지막 (2); 하지막 (2) 위의 팔라듐 층 (3); 및 팔라듐 층 (3) 위의 구리층 (4)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 배선용 구리 박막 및 그 제조방법에 관한 것이며, 본 발명에 의한 구리 박막은 종래의 것에 비해 비저항이 낮고 작동 신뢰성 및 기계적 특성이 우수하며, 특히 구리가 빠르고 균일하게 도포되는 특징을 갖는다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 인하대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-12-27
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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