일반기술

수소 플라즈마 및 급속 열처리의 이중 전처리 단계를 포함하는 구리 전착방법

본 발명은 a) p-type (100) Si 웨이퍼를 열처리하여 산화막을 형성하고, 스퍼터링(sputtering)법을 이용하여 확산방지막을 형성하는 단계; b) 상기 확산 방지막의 표면상에 스퍼터링(sputtering)법을 이용하여 구리 전도막(seed layer)을 형성하는 단계; c) 상기 구리 전도막을 포함한 기판을 rf-전원이 20 W ∼ 140 W 및 플라즈마 노출 시간이 1 분 ∼ 20 분의 조건에서 수소 플라즈마 전처리로 세정하는 단계; d) 상기 세정단계에 연속하여 상기 세정된 구리 전도막을 포함하는 기판을 350 ℃ ∼ 500 ℃ 에서, 30 초동안 급속 열처리하는 단계; 및 e) 수소 플라즈마 및 급속 열처리의 이중 전처리된 상기 구리 전도막을 포함하는 기판 표면상에 펄스 전류를 이용하여 구리 전해도금하는 단계를 포함하는 것으로, 상기 수소 플라즈마 및 급속 열처리의 이중 전처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리 전착방법에 관한 것이다.