일반기술

비휘발성 메모리 소자의 동작예측방법과 상기소자를 사용한 뉴로-디바이스의 적응형 학습회로

본 발명은 비휘발성 메모리 소자인 MFSFET소자의 동작을 예측하는 방법과 상기 소자를 사용한 뉴로-디바이스의 적응형 학습회로에 관한 것으로, 게이트 강유전체의 분극을 스위칭시켜 전류의 흐름을 제어하는 방식의 비휘발성 메모리 소자의 동작예측방법에 있어서, 피로현상에 따라 산소공공이 강유전체 박막의 하부전극 계면주위에 축적되어 유전체층을 형성하는 MFDM 커패시터의 전기적 변위 벡터 D(t)의 시간미분형태를 얻는 제1과정과, 강유전체 박막에 부하저항이 직렬로 연결된 회로에서 시간에 따른 강유전체 전체전압을 구하여 부하저항 양단에 흐르는 스위칭 전류를 측정하여 피로현상에 따른 스위칭 특성을 얻는 제2과정과, MFDS(Metal-Ferroeletric-Dielectric-Semiconductor) 소자의 전체 커패시턴스, 각 부분별 전압을 산출하여 게이트 전압에 따른 반도체 표면전위(Vs), 강유전체층 전압(V_F), 산소 공공층 전압(V_ox)의 상관관계를 획득하여 상기 비휘발성 메모리 소자의 피로특성을 정량화하는 제3과정으로 이루어짐을 특징으로 한다.