일반기술

마그네트론 스퍼터링법에 의한 Zno박막의 제조방법

본 발명은 마그네트론 스퍼터링법에 의한 ZNO 박막의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 사파이어 기판 상에 마그네트론 스퍼터링법에 의해 ZNO 박막을 형성시키는 단계(단계 1), 및 상기 ZNO 박막이 형성된 사파이어 기판을 산소분위기 하에서 열처리를 수행하는 것을 단계(단계 2)를 포함하는 것으로 이루어진 ZNO 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 ZNO 박막의 제조방법은 적당한 유량비를 갖는 N2O/AR 가스를 이용한 마그네트론 스퍼터링법을 수행하여 ZNO 박막을 증착한 후 고온에서 열처리를 수행함으로써, ZNO 결정의 품위를 두드러지게 향상시킬 수 있으며, 또한 고농도의 질소를 도핑한 ZNO 박막에서의 전자의 농도와 이동도를 급격히 감소시킬 수 있다. 이러한 현상으로 인해 산소공공과 침입형 ZN와 같은 진성의(INTRINSIC) N형 결함을 상쇄시킴으로써 N 형 ZNO 박막을 P 형 ZNO 박막으로 제조할 수 있어 단파장 발광소자의 제조에 유용하게 이용할 수 있다.