일반기술
TiN막 표면의 ECR 플라즈마 전처리를 포함한 RuO2 증착방법
본 발명은 TIN 막 표면의 ECR 플라즈마 전처리를 포함한 RUO2 증착방법에 관한 것으로, 구체적으로 SI 웨이퍼 위에 TIN 막을 코팅하는 단계, 상기 TIN 막을 화학적 전처리하는 단계 및 상기 TIN 막 위에 MOCVD법에 의한 RUO2 증착단계로 이루어진 RUO2의 증착방법에 있어서, 상기 화학적 전처리 단계와 RUO2의 증착 단계 사이에 수소 또는 아르곤 ECR 플라즈마 전처리를 수행하여 TIN 막을 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 RUO2의 증착방법에 관한 것이다. 본 발명의 MOCVD법에 의한 RUO2의 증착방법은 TIN 막 표면에 ECR 플라즈마 전처리를 수행함으로써, TIN 막 표면의 산소와 질소원자를 제거할 수 있으며, 이러한 제거를 통하여 RUO2의 증착시 RUO2 핵생성을 더욱 향상시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 인하대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-12-27
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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