일반기술
몬테카를로 방식을 이용한 반도체 스퍼터 공정 시뮬레이션 방법
본 발명의 스퍼터 공정 시뮬레이터는 몬테 카를로 방법을 이용하여 타겟 원자간의 충돌 산란 과정을 계산하였고, 시뮬레이션의 수행 시간 단축을 위하여 이온이 타겟의 일정 깊이 이상 주입되지 않도록 함수를 구현하였으며, CRAY T3E 슈퍼 컴퓨터를 이용한 병럴 컴퓨팅 방법을 적용하였다. 또한, 기판의 표면 진화 시뮬레이션에 직접적인 입력 데이터로 이용할 수 있도록 타겟에서 방출되는 원자의 분포를 계산하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.이와 같이 본원 발명은 타겟에서 방출되는 원자의 스퍼터율을 계산하고 그의 3차원 방출 분포를 계산함으로써 기판의 토포그래피를 예측할 수 있으며, 스퍼터 증착을 포함하여 스퍼터 에칭 공정, 바이어스 스퍼터링 시스템, 이온 빔 시스템 등 여러 가지 공정에 적용함으로써 실제 라인에의 실험에 의한 개발 비용과 리스크를 줄이는 효과를 부여한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 인하대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-12-27
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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