일반기술
전극용 은 막대 입자 제조방법
본 발명은 액상환원법으로 Ag 입자를 제조하고, 상기 Ag 입자를 씨드로 이용하여 높은 장단축비를 지닌 막대상 Ag입자를 제조하기 위한 방법에 있어서, 상기 씨드로 이용되는 Ag 입자를 몰비에 따라 CTAB와 AgNO3의 몰비가 0.5인 수용액에 넣어서 구형의 나노입자를 성장시키는 단계로 이루어진 전극용 은막대입자 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 높은 장단축비를 형성하는 막대상 Ag 입자를 제조할 수 있는 방법을 제공함으로써 기존 Ag 페이스트의 전극 특성을 보완할 전극용 잉크로서의 Ag 졸로 활용이 가능하고, PDP 전극제조에 있어 원가 절감이 가능한 매우 유용한 발명인 것이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전력전자 기술
- 보유기관
- 조선대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-12-27
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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