일반기술

실리콘웨이퍼의 패턴가공을 위한 박막가공방법 및 장치

실리콘웨이퍼에 대하여 미세 패턴을 가공하여 미소 유체 채널의 가공, 광케이블의 가이드 가공, 일련번호의 가공 등을 수행하는 데에 있어서 기존의 가공법은 사진 기술을 응용하여 포토레지스트에 패턴을 식각 하고 실리콘에 대해 에칭을 수행하였다. 그러나 이러한 가공법은 패턴의 형상을 만들고, 포토레지스트를 인화 및 현상하는 데에 필요한 초기 설비비가 많이 들며, 일단 한 가지 패턴을 형성하면 그 모양을 유연하게 바꾸기에 어려운 단점이 있다. 따라서 기존의 사진 기술을응용한 가공 기술의 단점들을 보완하기 위한 새로운 가공 방법이 요구되고 있다.본 발명은 초정밀 미세 가공법의 하나로서 실리콘웨이퍼의 표면에 수 ㎛의 폭과 깊이를 지니는 미세 패턴을 가공하는 기술에 관한 것이다. 실리콘웨이퍼의 표면에 연금속이나 폴리머 재료를 박막의 형태로 증착시키고, 미세한 날끝 반경을 지니는 기계적 공구로써 가공하고자 하는 패턴의 모양대로 박막의 재료만을 제거한다. 이와 같은 방법으로 가공된 박막은기존의 가공법에서 형성되는 포토레지스트와 동일한 기능을 수행하여 실리콘웨이퍼에 대한 화학적 에칭 작업을 수행할 때마스크로서의 역할을 하게 된다.위와 같은 가공법을 사용하면 기존의 포토레지스트를 사용한 가공법에서 필수적인 고가의 설비가 필요치 않게 되며, 기계적 가공의 경로를 간편하게 지정할 수 있으므로 보다 유연한 패턴의 가공이 가능하게 된다.