일반기술
고성능 저장 장치를 위한 동기화 된 더블 데이터 레이트 낸드플래시 메모리 인터페이스
본 발명의 낸드 플래시 메모리 인터페이스는 기존 Read Enable Bar(REB) 신호를 Data Valid Strobe(DVS)로 변경하고, Write Enable Bar(WEB)를 클록 입력으로 변경하였으며 더블 데이터 레이트를 적용하여 데이터의 전송속도를 높여 전체적인 성능이 향상되도록 하였다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 연세대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-12-27
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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