일반기술
CMOS 이미지센서용 적층형 포토다이오드 및 그 제조방법
본 발명은 CMOS 이미지센서용 포토다이오드에 관한 것으로서, 실리콘 벌크 위에 에피택셜층을 형성하여 상층으로부터 N2-P2-N1-P1 적층형 구조를 이루는 포토다이오드 및 이러한 구조의 포토다이오드를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 포토다이오드는 실리콘 벌크위에 에피택셜층으로 각층을 성장시켜 상층으로부터 N2-P2-N1-P1 적층형 구조를 이루는 포토다이오드로서, 상기 N2-P2 접합 및 공핍영역은 청색 검출 영역인 제1포토다이오드층이고, 상기 P2-N1 접합 및 공핍영역은 녹색 검출 영역인 제2포토다이오드층이며, 상기 N1-P1 접합 및 공핍영역은 적색 검출 영역인 제3포토다이오드층을 이루는 것을 특징으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 분석·물성평가 기술
- 보유기관
- 연세대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-12-27
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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