일반기술
질화알루미늄 다층회로 기판의 제조방법
질화호우소재의 연성용기를 이용한 가압질소분위기(加壓窒素雰圍氣)중에서의 연성에 의해, 종래 문제되어져 왔던 연성중의 도체저항 증가가 없고, 기판의 휨이 발생하지 않는 질화알루미늄 다층회로기판을 제조할 수 있다. 질화알루미늄그린시트 상에 텅스텐을 도체성분으로 하는 도체페이스트에서 배선 패턴을 형성한 후, 질화호우소재용기내의 가압질소가스분위기(加壓窒素가스雰圍氣)에서 1600℃이상으로 연성한다. 실리콘반도체를 이용한 LSI를 탑재하는 세라믹다층회로기판, 알루미나에 대한 펫키지 및 회로기판에의 응용이 기대된다.연성중의 도체저항의 증가가 없고, 기판의 휨이 발생하지 않음.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-05-22
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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