일반기술

금속/GaAs 쇼트키 접합 계면 불순물 제거 방법

본 발명은 유황화 및 수소화 처리를 이용한 금속/GaAs 쇼트키 접합 계면 불순물 제거 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 소자 특성을 개선하기 위해 유황화 및 수소화 처리를 이용하여 게이트(gate)와 같은 쇼트키 접합(Schottky contact)부의 금속/GaAs 계면 부산물을 완벽히 제거하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 계면 산화물 발생 억제를 위한 유황화 처리 및 계면 반응부산물 제거를 위한 수소화 처리를 복합적으로 적용함으로써, 종래의 HCl 용액으로 표면 처리(습식 세정)하는 경우에 비해 계면 불순물(산화물 및 반응부산물)을 효과적으로 제거할 수 있으며, 계면 불순물을 완전히 제거할 수 있게 됨에 따라 종래에 비해 특성이 우수한 소자를 제조할 수 있게 된다. 또한 원자 단위로 제어된 안정된 금속/GaAs 쇼트키 접합 형성으로 소자의 고속/고주파 동작의 신뢰성 및 재현성이 향상될 수 있고, 제품의 높은 수율을 보장할 수 있게 된다.