일반기술

강유전 캐패시터의 제조방법

본 발명은 기판 상단면 일측에 소자격리층을 형성하는 단계; 상기 소자격리층이 형성되지 않는 기판 상단면 일측에 불순물접합층을 형성하는 단계; 상기 소자격리층 및 상기 불순물접합층 상단에 하부절연막을 형성하는 단계; 상기 하부절연막 상단 일측에 전자빔 감응성 졸을 코팅하고 전자빔을 조사하여 패턴함으로써 확산방지막을 형성하는 단계; 상기 확산방지막 상단에 전극물질을 포함하는 전자빔 감응성 졸을 코팅하고 전자빔을 조사하여 패턴함으로써 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상단 일측에 강유전 물질을 포함하는 전자빔 감응성 졸을 코팅하고 전자빔을 조사하여 패턴함으로써 강유전막을 형성하는 단계; 상기 강유전막 상단 일측에 전극물질을 포함하는 전자빔 감응성 졸을 증착시킨 후 전자빔을 조사하여 패턴함으로써 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전 캐패시터의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 강유전 캐패시터의 제조방법은 전자빔 감응성 물질로 강유전막, 상ㆍ하부전극, 확산방지막을 제조하는 것으로서, 전자빔 감응성 물질을 기판에 박막형태로 코팅한 후 에너지가 조절된 전자빔 조사에 의해 패터닝하는 동시에 패턴부의 결정화를 가능하도록 하여, 강유전 캐패시터 막 형성을 위한 후속 고온열처리 공정이 생략될 수 있고, 저온공정이 필수적인 플라스틱 기판 등을 사용할 수 있으며, 공정이 간소화되는 효과가 있다.